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本文由資深電子工程師劉工分享,聚焦開關(guān)電源設計中的功率管開啟尖峰問題及其創(chuàng)新解決方案,文中指出,功率MOSFET/IGBT導通時由寄生電容和體二極管特性引發(fā)的瞬態(tài)高壓尖峰(可達額定電壓1.5倍)會威脅器件壽命和系統(tǒng)可靠性,傳統(tǒng)RC緩沖、PCB優(yōu)化等方法存在效率...
15v升壓28v電源模塊 2026-03-10 芯片常識 14 ℃ 0 評論 查看詳細
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